IGZOターゲット
IGZOはインジウム、ガリウム、亜鉛を含むアモルファス酸化物で、キャリア移動度はアモルファスシリコンの20～30倍です。 TFTピクセル電極の充放電速度を大幅に向上させ、ピクセルの応答速度を向上させ、より高速なリフレッシュレートを実現します。
IGZOはインジウム、ガリウム、亜鉛を含むアモルファス酸化物で、キャリア移動度はアモルファスシリコンの20～30倍です。 TFTピクセル電極の充放電速度を大幅に向上させ、ピクセルの応答速度を向上させ、より高速なリフレッシュレートを実現します。 同時に、高速応答によりピクセルのライン スキャン レートも大幅に向上し、TFT-LCD で超高解像度が可能になります。 さらに、トランジスタ数の削減とピクセルあたりの光透過率の向上により、IGZO ディスプレイはエネルギー消費が少なく、効率が高くなります。 金属酸化物 TFT には、移動度が高く、膜の均一性が高く、プロセス温度が低く、安定性が高く、製造コストが低いという利点があります。
